gan systems 文章 進入gan systems技術(shù)社區(qū)
邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響
- 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37 千兆噸。為應(yīng)對這一問題，
- 關(guān)鍵字： 202412 GaN CoolGaN
深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
- / 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
“LiDAR激光雷達”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來安全精準
- 1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業(yè)內(nèi)企業(yè)開始考慮引進智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔(dān)心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術(shù)和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構(gòu)建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
- 關(guān)鍵字： 202411 LiDAR 激光雷達 智慧物流 羅姆 激光器 GaN
2024 IIC創(chuàng)實技術(shù)再獲獎 分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長
- 11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個專業(yè)的交流平臺，聚集國內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計精英及決策者，聚焦重大前沿新興技術(shù)及產(chǎn)品、市場應(yīng)用以及供應(yīng)鏈發(fā)展變遷和趨勢，以此助推產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新穩(wěn)健發(fā)展。在同期舉行的“2024年度全球電子元器件分銷商卓越表現(xiàn)獎”頒獎盛典上，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先電子元器件分銷商深
- 關(guān)鍵字： 創(chuàng)實技術(shù) Cytech Systems
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器
- Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應(yīng)同步整流控制器。這些IC可與N
- 關(guān)鍵字： Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器
如何在設(shè)計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
- 如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應(yīng)用方面優(yōu)勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領(lǐng)域風(fēng)頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)（高頻率工作）性能，在
- 關(guān)鍵字： Mouser GaN
德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
- 新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 氮化鎵 GaN
三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機驅(qū)動器的性能
- 在應(yīng)對消費類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應(yīng)，通過實施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅(qū)動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉(zhuǎn)速，并進行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效
- 關(guān)鍵字： 202409 三相集成GaN 電機驅(qū)動器 GaN
AI芯片獨角獸最新產(chǎn)品 比英偉達GPU快20倍
- 綜合外媒報導(dǎo)，人工智能（AI）芯片巨頭英偉達（Nvidia）的競爭對手、全球最大AI芯片獨角獸 Cerebras Systems宣布，推出Cerebras Inference，據(jù)稱是全世界最快AI解決方案，較英偉達目前這一代GPU快20倍，價格更便宜只有GPU的五分之一。Cerebras的AI推論工具可為大語言模型Llama 3.1 8B，每秒生成1,800個 tokens，比超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的英偉達GPU解決方案快20倍。而且Cerebras價格以每百萬tokens收10美分起跳，與英偉達GPU解決方案
- 關(guān)鍵字： AI芯片 英偉達 GPU Cerebras Systems
新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設(shè)完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
- 關(guān)鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)?；蛏?3.76億美元
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）高達49%。其中非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
- 關(guān)鍵字： CAGR GaN 功率元件
TrendForce：預(yù)計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復(fù)合年均增長率達 49%
- IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術(shù)傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當(dāng)前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復(fù)合年均增長率）達 49%。據(jù)介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
- 關(guān)鍵字： 功率器件 GaN
羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
gan systems介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan systems!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan systems的理解，并與今后在此搜索gan systems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan systems的理解，并與今后在此搜索gan systems的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
gan systems相關(guān)帖子
gan systems資料下載
gan systems專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473